Výsledky hledání pro výraz: 26

8542326100 10-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E$2PROM), včetně Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 20-Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 80-S kapacitou paměti nepřesahující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326900 80-S kapacitou paměti převyšující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 69

8536490030 80-Relé s(e): – jmenovitým napětím stejnosměrného proudu 12 V, – povoleným napětím stejnosměrného proudu nejvýše 16 V, – odporem cívky 26,7 ohmu (±10 %) při 20 °C, – napětím rozběhu nejvýše 8,5 V při 60 °C, – napětím návratu 1 V nebo vyšším při 20 °C, – jmenovitým pracovním výkonem 5,4 W při 20 °C, – spínaným napětím stejnosměrného proudu nejvýše 400 V, – trvalou proudovou zatížitelností nejvýše 120 A pro použití při výrobě baterií pro elektrická vozidla

–

8536 49 00 30

8529909710 80-Sestavy a podsestavy sestávající nejméně ze dvou vzájemně spojených částí, pro přístroje čísla 8526, pro použití v civilních letadlech

8529 90 20 až 8529 90 97-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. číselníky;
2. ladicí bloky;
3. clony pro televizní kamery;
4. tak zvané adaptéry PAL-SECAM. Jde o dekodérové desky (desky s tištěnými obvody osazené elektrickými komponenty) pro následné zabudování do televizních přijímačů určených pro příjem signálů PAL, aby tyto přijímače mohly být použity pro dvojí příjem signálů PAL/SECAM.
Do těchto podpoložek nepatří vlnovody (zařazené jako trubice podle materiálu, ze kterého jsou vyrobeny).

–

8529 90 97 10

8529909220 80-Sestavy a podsestavy sestávající nejméně ze dvou vzájemně spojených částí, pro přístroje čísla 8526, pro použití v civilních letadlech

8529 90 20 až 8529 90 97-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. číselníky;
2. ladicí bloky;
3. clony pro televizní kamery;
4. tak zvané adaptéry PAL-SECAM. Jde o dekodérové desky (desky s tištěnými obvody osazené elektrickými komponenty) pro následné zabudování do televizních přijímačů určených pro příjem signálů PAL, aby tyto přijímače mohly být použity pro dvojí příjem signálů PAL/SECAM.
Do těchto podpoložek nepatří vlnovody (zařazené jako trubice podle materiálu, ze kterého jsou vyrobeny).

8529 90 92-Pro televizní kamery podpoložek 8525 80 11 a 8525 80 19 a přístroje čísel 8527 a 8528

Tato podpoložka obsahuje takzvané „LCD moduly“ sestávající z tranzistorů v tenké vrstvě (TFT) kapalných krystalů vložené mezi dvě skleněné nebo plastové tabule, které nejsou kombinovány s možnostmi dotykové obrazovky, používané při výrobě monitorů a/nebo televizních přijímacích přístrojů čísla 8528.
Tyto moduly jsou vybaveny jedním nebo více tištěnými nebo integrovanými obvody s řídicí elektronikou pouze na adresování pixelů. Nejsou vybaveny elektronikou pro zpracovávání videa (jako např. videokonvertorem nebo konvertorem kmitočtu).
Moduly mohou být vybaveny jednotkou podsvícení a/nebo invertory.
Tato podpoložka neobsahuje zařízení s kapalnými krystaly sestávající z vrstvy tekutých krystalů vložené mezi dvě skleněné nebo plastové tabule, opatřené nebo neopatřené elektrickými přípojkami (např. pro dodávku elektrické energie), vcelku nebo nařezané do určitých tvarů (podpoložka 9013 80 20).

–

8529 90 92 20