8545 90 90-Ostatní
Do této podpoložky patří:
1. uhlíky pro bleskojistky;
2. kontakty pro elektrická ovládací zařízení nebo pro reostaty.
Do této podpoložky nepatří pastové kompozice pro elektrody na bázi karbonizovaného materiálu (číslo 3824).
–
8545 90 90 20
8545 90 90-Ostatní
Do této podpoložky patří:
1. uhlíky pro bleskojistky;
2. kontakty pro elektrická ovládací zařízení nebo pro reostaty.
Do této podpoložky nepatří pastové kompozice pro elektrody na bázi karbonizovaného materiálu (číslo 3824).
–
8545 90 90 99
8545 90 90-Ostatní
Do této podpoložky patří:
1. uhlíky pro bleskojistky;
2. kontakty pro elektrická ovládací zařízení nebo pro reostaty.
Do této podpoložky nepatří pastové kompozice pro elektrody na bázi karbonizovaného materiálu (číslo 3824).
–
8545 90 90
8544 70 00-Kabely z optických vláken
Do této podpoložky rovněž patří kabely z optických vláken určené například k použití pro telekomunikace, zhotovené z optických vláken jednotlivě potažených dvojitou vrstvou akrylátového polymeru, umístěných v ochranném obalu. Potah sestává z vnitřního pláště z měkkého akrylátu a vnějšího pláště z tvrdého, různými barvami povrstveného, akrylátu.
Potah jednotlivých optických vláken poskytuje ochranu a celistvost struktury, například ochranou jednotlivého vlákna proti zlomení.
1. jádro optického vlákna (jádro skleněného vlákna)
2. pouzdro optického vlákna (sklo)
3. vnitřní plášť potahu z měkkého akrylátu
4. barevné identifikační označení
5. vnější plášť potahu z tvrdého akrylátu
–
8544 70
8544 42 10-Používané pro telekomunikace
Viz vysvětlivky k HS k číslu 8544.
Pro účely této podpoložky výraz „používané pro telekomunikace“ zahrnuje též elektrické vodiče vybavené přípojkami používané v telekomunikačních sítích, například pro připojení zařízení pro automatizované zpracování dat (ADP) k modemu.
Do této podpoložky však nepatří:
a) elektrické vodiče vybavené přípojkami, které mají být použity pro propojení různých přístrojů (například DVD přehrávače s monitorem nebo zařízení pro automatizované zpracování dat (ADP) s monitorem, tiskárnou, klávesnicí, projektorem atd.);
b) elektrické vodiče určené k vložení do strojů, například do zařízení pro automatizované zpracování dat (ADP) nebo jeho jednotky, pro propojení různých vnitřních částí daného stroje;
c) elektrické vodiče, které slouží pouze k napájení, například silových kabelů.
–
8544 42 10
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 61
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 61
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 61
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 69
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 75