8542326100 20-Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 61

8542326100 80-S kapacitou paměti nepřesahující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 61

8542326900 80-S kapacitou paměti převyšující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 69

8542327500 80-Ostatní

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 75

8542391000 80-Zboží specifikované v poznámce 8 b) 3) k této kapitole

8542 39 10 a 8542 39 90-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. plně zakázkové logické obvody, které jsou definovány jedním uživatelem a jsou pro něj vyrobeny. Výrobní proces vyžaduje pracovní postup a umístění buněk (logické členy), za použití plně zakázkových difúzních masek. Plně zakázkové logické obvody jsou určeny k plnění požadovaných specifických funkcí. Jsou známé jako integrované obvody pro specifické použití, tak zvané ASIC;
2. hradlová pole, což jsou integrované logické obvody, které sestávají z pevného a pravidelného uspořádání nepropojených logických prvků (tranzistorových buněk z, například, AND-, NAND-, OR- nebo NOR-hradel). Hradlová pole jsou naprogramována v souladu s uživatelem specifikovaným propojením těchto logických prvků jedním nebo více metalizovanými vzory (směrovými předlohami);
3. standardní buňky, což jsou integrované logické obvody, které sestávají z uživatelem specifikovaného uspořádání předem definovaných podobvodů a pevných podobvodů. Tyto podobvody mohou obsahovat jakoukoliv integrovanou funkci (např. logickou funkci nebo paměťovou funkci);
4. programovatelné logické obvody, což jsou integrované obvody, které sestávají z pevných logických prvků. Konečná funkce těchto obvodů je stanovena uživatelem zvětšením přepalování nebo elektrickým programováním vzájemných propojení mezi logickými prvky;
5. standardní logické obvody, což jsou integrované obvody, které sestávají z méně než 150 logických hradel (např. AND, NAND, OR, NOR). Tato zařízení mohou integrovat několik funkcí nebo sad stejných a nezávislých funkcí;
6. obvody rozhraní, což jsou integrované obvody, které vykonávají propojovací funkci (např. převodem kódu, převodem mezi bitově sériovým a bitově paralelním protokolem nebo synchronizací) k vzájemnému propojení programů, integrovaných obvodů, periferních jednotek nebo systémů s různými charakteristikami.
7. mikroperiferní zařízení, což jsou integrované obvody, které vykonávají specifické funkce jako doplněk k mikroprocesorům, mikrořadičům nebo mikropočítačům a zlepšují jejich externí komunikační a řídicí funkce a externí funkce rozhraní.
Technické specifikace mikroperiferního zařízení jednoznačně vyjadřují jejich spojitost s mikroprocesorem, mikrořadičem nebo mikropočítačem a nutnost přiřazení k nim.
Komunikační a řídicí vlastnosti a vlastnosti rozhraní mohou být tvořeny řídicími jednotkami sběrnice, řídicími jednotkami paměti (řídicí jednotky DRAM, jednotky řízení paměti (MMU), řídicí člen přímého přístupu do paměti) nebo řídicími jednotkami rozhraní periferního zařízení (řídicí jednotky grafických zařízení, řídicí jednotky lokální počítačové sítě, univerzální asynchronní přijímací/vysílací řídicí jednotky, řídicí jednotky klávesnice, řídicí jednotky velkokapacitní paměti);
8. inteligentní silové obvody, což jsou integrované analogové obvody, které kombinují digitální a analogové obvody (silové tranzistory) k řízení logických výstupních signálů a silových výstupních signálů. Tato zařízení jsou schopna zajistit například vnitřní ochranu proti ztrátám energie, poruchám řízení nebo diagnostické schopnosti.
Do těchto podpoložek nepatří programovatelné permanentní paměti (PROM) (podpoložka 8542 32 90).

8542 39 10-Zboží specifikované v poznámce 8 b) 3) k této kapitole

Viz vysvětlivky k HS k číslu 8542, část III).

8542 39 10

8542399000 80-Ostatní

8542 39 10 a 8542 39 90-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. plně zakázkové logické obvody, které jsou definovány jedním uživatelem a jsou pro něj vyrobeny. Výrobní proces vyžaduje pracovní postup a umístění buněk (logické členy), za použití plně zakázkových difúzních masek. Plně zakázkové logické obvody jsou určeny k plnění požadovaných specifických funkcí. Jsou známé jako integrované obvody pro specifické použití, tak zvané ASIC;
2. hradlová pole, což jsou integrované logické obvody, které sestávají z pevného a pravidelného uspořádání nepropojených logických prvků (tranzistorových buněk z, například, AND-, NAND-, OR- nebo NOR-hradel). Hradlová pole jsou naprogramována v souladu s uživatelem specifikovaným propojením těchto logických prvků jedním nebo více metalizovanými vzory (směrovými předlohami);
3. standardní buňky, což jsou integrované logické obvody, které sestávají z uživatelem specifikovaného uspořádání předem definovaných podobvodů a pevných podobvodů. Tyto podobvody mohou obsahovat jakoukoliv integrovanou funkci (např. logickou funkci nebo paměťovou funkci);
4. programovatelné logické obvody, což jsou integrované obvody, které sestávají z pevných logických prvků. Konečná funkce těchto obvodů je stanovena uživatelem zvětšením přepalování nebo elektrickým programováním vzájemných propojení mezi logickými prvky;
5. standardní logické obvody, což jsou integrované obvody, které sestávají z méně než 150 logických hradel (např. AND, NAND, OR, NOR). Tato zařízení mohou integrovat několik funkcí nebo sad stejných a nezávislých funkcí;
6. obvody rozhraní, což jsou integrované obvody, které vykonávají propojovací funkci (např. převodem kódu, převodem mezi bitově sériovým a bitově paralelním protokolem nebo synchronizací) k vzájemnému propojení programů, integrovaných obvodů, periferních jednotek nebo systémů s různými charakteristikami.
7. mikroperiferní zařízení, což jsou integrované obvody, které vykonávají specifické funkce jako doplněk k mikroprocesorům, mikrořadičům nebo mikropočítačům a zlepšují jejich externí komunikační a řídicí funkce a externí funkce rozhraní.
Technické specifikace mikroperiferního zařízení jednoznačně vyjadřují jejich spojitost s mikroprocesorem, mikrořadičem nebo mikropočítačem a nutnost přiřazení k nim.
Komunikační a řídicí vlastnosti a vlastnosti rozhraní mohou být tvořeny řídicími jednotkami sběrnice, řídicími jednotkami paměti (řídicí jednotky DRAM, jednotky řízení paměti (MMU), řídicí člen přímého přístupu do paměti) nebo řídicími jednotkami rozhraní periferního zařízení (řídicí jednotky grafických zařízení, řídicí jednotky lokální počítačové sítě, univerzální asynchronní přijímací/vysílací řídicí jednotky, řídicí jednotky klávesnice, řídicí jednotky velkokapacitní paměti);
8. inteligentní silové obvody, což jsou integrované analogové obvody, které kombinují digitální a analogové obvody (silové tranzistory) k řízení logických výstupních signálů a silových výstupních signálů. Tato zařízení jsou schopna zajistit například vnitřní ochranu proti ztrátám energie, poruchám řízení nebo diagnostické schopnosti.
Do těchto podpoložek nepatří programovatelné permanentní paměti (PROM) (podpoložka 8542 32 90).

8542 39 90

8541900000 80-Části a součásti

8541 90 00-Části a součásti

Kromě částí a součástí uvedených ve vysvětlivkách k HS k číslu 8541, patří do této podpoložky:
1. podpěry a pouzdra pro piezoelektrické krystaly;
2. pouzdra z kovu, steatitu, atd. pro zamontované polovodiče.
Do této podpoložky nepatří:
a) elektrické konektory pro vedení proudu mezi kolíky (nebo kontakty) a elektrodami (číslo 8536);
b) grafitové části a součásti (podpoložka 8545 90 90).

8541 90

8536693000 80-Pro desky plošných spojů

8536 69 10 až 8536 69 90-Ostatní

Do těchto podpoložek patří elektromechanické zástrčky a zásuvky, které umožňují vícecestné propojení, například mezi přístroji, kabely a deskami s konektory, pouhým zastrčením připojených zástrček do připojených zásuvek bez nutnosti montáže.
Konektory mohou mít zástrčku či zásuvku na obou stranách nebo zástrčku či zásuvku na jedné straně a jiné kontaktní prvky na straně druhé (například s dutinkou pro zamačkávaný spoj, svorkové, pájené nebo šroubové).
Do těchto podpoložek rovněž patří zásuvné spojky (se zásuvnými kontakty) skládající se ze zástrčky a páru zásuvek (dvou kusů). Každý z těchto výrobků, tvořených zástrčkou a zásuvkou má vždy jednu zásuvku a jeden jiný kontaktní prvek.
Do těchto podpoložek nepatří propojovací nebo kontaktní prvky, s nimiž je elektrické propojení vytvořeno jinými prostředky (například koncovky s dutinkou pro zamačkávaný spoj, šroubové, pájené nebo svorkové koncovky). Tyto prvky patří do položky 8536 90.

8536 69 30-Pro tištěné obvody

Do této podpoložky patří všechny zástrčkové a zásuvkové konektory, k nimž lze přímo připojit tištěné obvody na jedné nebo na obou stranách (přímé konektory; viz příklady na obrázcích 5 až 9).
1. Zástrčkové a zásuvkové konektory pro přímou vertikální montáž tištěných obvodů:
2. Jednostranné a dvoustranné zástrčkové a zásuvkové konektory pro horizontální montáž tištěných obvodů:
Do této podpoložky nepatří zástrčkové a zásuvné komponenty zástrčkové a zásuvkové propojky (například kolíková nebo zásuvková svorkovnice), které jsou trvale připojeny k desce s tištěnými obvody a lze je zastrčit do konektoru (podpoložka 8536 69 90).

8536 69 30

8517693900 80-Ostatní

8517 69 39-Ostatní

Do této podpoložky patří:
1. pevná přijímací zařízení (včetně zařízení používaných především v rozsáhlých zařízeních) a zvláštní přístroje jako např. utajovací zařízení (například invertory spektra); některé přijímače, nazývané „diverzifikované přijímače“, využívají k tomu, aby nedocházelo ke kolísání rádiového signálu, několik technologií příjmu;
2. přijímače pro radiotelefonii určené pro motorová vozidla, lodě, letadla, vlaky atd.;
3. přijímače užívané v systémech radiotelegrafické lokalizace osob;
4. radiopřijímače pro simultánní tlumočení při mnohojazyčných konferencích;
5. zvláštní přijímače pro tísňové signály z lodí, letadel atd.;
6. přijímače telemetrických signálů;
7. „faksimilní“ radiotelegrafické přístroje pro příjem kopií dokumentů, novin, plánů, sdělení atd. a jejich zobrazení na citlivém papíře.

8517 69 39

8517693910 80-Pro radiotelefonii nebo radiotelegrafii, pro použití v civilních letadlech

8517 69 39-Ostatní

Do této podpoložky patří:
1. pevná přijímací zařízení (včetně zařízení používaných především v rozsáhlých zařízeních) a zvláštní přístroje jako např. utajovací zařízení (například invertory spektra); některé přijímače, nazývané „diverzifikované přijímače“, využívají k tomu, aby nedocházelo ke kolísání rádiového signálu, několik technologií příjmu;
2. přijímače pro radiotelefonii určené pro motorová vozidla, lodě, letadla, vlaky atd.;
3. přijímače užívané v systémech radiotelegrafické lokalizace osob;
4. radiopřijímače pro simultánní tlumočení při mnohojazyčných konferencích;
5. zvláštní přijímače pro tísňové signály z lodí, letadel atd.;
6. přijímače telemetrických signálů;
7. „faksimilní“ radiotelegrafické přístroje pro příjem kopií dokumentů, novin, plánů, sdělení atd. a jejich zobrazení na citlivém papíře.

8517 69 39 10