9022900010 80-Panely pro rentgenové přístroje (ploché panelové rentgenové snímače / rentgenové snímače) skládající se ze skleněné desky s maticí tenkovrstvých tranzistorů, pokryté filmem z amorfního křemíku, potažené scintilační vrstvou jodidu cesného a metalizovanou ochrannou vrstvou, nebo potažené vrstvou amorfního selenu

9022 90 00-Ostatní, včetně částí, součástí a příslušenství

Do této podpoložky patří beryliová okénka pro rentgenky.

9022 90 00 10

8540890091 80-Displeje ve formě trubic složených ze skleněného pouzdra namontovaného na základní desku o rozměrech nepřesahujících 300 mm !x! 350 mm vyjma výstupů. Trubice obsahuje jeden nebo více řádků znaků nebo linie sestavené do řádků, kde každý znak nebo linie obsahuje fluorescenční nebo fosforeskující prvky. Tytp prvky jsou zabudované do metalizované základny, která je pokrytá fluorescenčními látkami nebo fosforeskujícími solemi, které vydávají světlo, když jsou bombardovány elektrony

8540 81 00 a 8540 89 00-Ostatní elektronky a trubice

Kromě lamp, trubic a elektronek pro usměrňování elektrického proudu, uvedených ve vysvětlivkách k HS k číslu 8540, čtvrtém odstavci, bodu 1), patří do těchto podpoložek fanotrony, tyratrony, ignitrony a vysokonapěťové usměrňovací elektronky pro rentgenové přístroje.

8540 89 00 91

8539329000 80-Metalhalogenidové výbojky

8539 31 10 až 8539 39 00-Výbojky, jiné než ultrafialové

Do těchto podpoložek patří:
1. xenonové trubice;
2. spektrální výbojky;
3. doutnavky;
4. alfanumerické trubice.

8539 32 90

8507908050 80-Role polymer-metalového laminátu, kterou tvoří: – vrstva poly(etylen tereftalátu), – vrstva hliníku, – vrstva polypropylenu, o šířce nejvýše 275 mm, – o celkové tloušťce nejvýše 165 μm a – v souladu s normou ASTM D1701-91 a ASTM D882-95A pro použití ve výrobě lithium-iontových baterií do elektromobilů

8507 90 30 a 8507 90 80-Části a součásti

Do těchto podpoložek nepatří spojovací části a součásti akumulátorových prvků (podpoložka 8536 90 85).

8507 90 80 50

8504409040 80-Polovodičové výkonové moduly sestávající z: – výkonových tranzistorů, – integrovaných obvodů, – též obsahující diody a též obsahující termistory, – mající provozní napětí nejvýše 600V, – obsahující nejvýše tří elektrické výstupy, z nichž každý obsahuje dva výkonové spínače (buď MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor – tranzistory řízené elektrickým polem z polovodičů na bázi oxidů kovů) nebo IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors – bipolární tranzistory s izolovanou elektrodou G)) a vnitřní ovladače, – s efektivní hodnotou (RMS) jmenovitého proudu nejvýše 15,7A

8504 40 90 40