–
8544 42 90 10
Výsledky hledání pro výraz: bit
8542326100 80-S kapacitou paměti nepřesahující 512 Mbitů
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 61
8542326900 80-S kapacitou paměti převyšující 512 Mbitů
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 69
8541409010 80-Přenosné solární nabíječky skládající se z méně než šesti článků, které dodávají elektrickou energii do zařízení nebo nabíjejí baterie; tenkovrstvé fotovoltaické výrobky; krystalické křemíkové fotovoltaické výrobky, které jsou trvale integrovány do elektrotechnických výrobků, přičemž funkce elektrotechnických výrobků je jiná než výroba energie a tyto elektrotechnické výrobky spotřebovávají elektrickou energii vyrobenou integrovaným(i) krystalickým(i) křemíkovým(i) fotovoltaickým(i) článkem (články) ; moduly nebo panely s výstupním stejnosměrným napětím nepřesahujícím 50 V a výkonem nepřesahujícím 50 W určené výhradně pro přímé použití k nabití baterií v systémech se stejnými charakteristikami, pokud jde o napětí a výkon
8541 40 90-Ostatní
Do této podpoložky patří fotovoltaické články sestavené do modulů nebo zabudované do panelů obsahující nulové diody (avšak nikoli blokovací diody). Nulové diody nejsou prvky, které přivádějí proud přímo, například, k motoru (viz vysvětlivky k HS k číslům 8501 a 8541).
–
8541 40 90 10