8529909265 80-Displej OLED sestávající: – z organické vrstvy s organickými diodami vyzařujícími světlo (LED), – ze dvou vodivých vrstev pro přenos elektronů a elektronové díry, – z vrstev transistorů (TFT) s rozlišením 1 920 x 1 080, – z anody a katody pro napájení organických diod, – z filtru RGB, – ze skleněné nebo plastové ochranné vrstvy a – bez elektroniky pro adresování pixelů, určený pro použití při výrobě zboží čísla 8528

8529 90 20 až 8529 90 97-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. číselníky;
2. ladicí bloky;
3. clony pro televizní kamery;
4. tak zvané adaptéry PAL-SECAM. Jde o dekodérové desky (desky s tištěnými obvody osazené elektrickými komponenty) pro následné zabudování do televizních přijímačů určených pro příjem signálů PAL, aby tyto přijímače mohly být použity pro dvojí příjem signálů PAL/SECAM.
Do těchto podpoložek nepatří vlnovody (zařazené jako trubice podle materiálu, ze kterého jsou vyrobeny).

8529 90 92-Pro televizní kamery podpoložek 8525 80 11 a 8525 80 19 a přístroje čísel 8527 a 8528

Tato podpoložka obsahuje takzvané „LCD moduly“ sestávající z tranzistorů v tenké vrstvě (TFT) kapalných krystalů vložené mezi dvě skleněné nebo plastové tabule, které nejsou kombinovány s možnostmi dotykové obrazovky, používané při výrobě monitorů a/nebo televizních přijímacích přístrojů čísla 8528.
Tyto moduly jsou vybaveny jedním nebo více tištěnými nebo integrovanými obvody s řídicí elektronikou pouze na adresování pixelů. Nejsou vybaveny elektronikou pro zpracovávání videa (jako např. videokonvertorem nebo konvertorem kmitočtu).
Moduly mohou být vybaveny jednotkou podsvícení a/nebo invertory.
Tato podpoložka neobsahuje zařízení s kapalnými krystaly sestávající z vrstvy tekutých krystalů vložené mezi dvě skleněné nebo plastové tabule, opatřené nebo neopatřené elektrickými přípojkami (např. pro dodávku elektrické energie), vcelku nebo nařezané do určitých tvarů (podpoložka 9013 80 20).

8529 90 92 65

8504409040 80-Polovodičové výkonové moduly sestávající z: – výkonových tranzistorů, – integrovaných obvodů, – též obsahující diody a též obsahující termistory, – mající provozní napětí nejvýše 600V, – obsahující nejvýše tří elektrické výstupy, z nichž každý obsahuje dva výkonové spínače (buď MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor – tranzistory řízené elektrickým polem z polovodičů na bázi oxidů kovů) nebo IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors – bipolární tranzistory s izolovanou elektrodou G)) a vnitřní ovladače, – s efektivní hodnotou (RMS) jmenovitého proudu nejvýše 15,7A

8504 40 90 40