Výsledky hledání pro výraz: tranzistor

8529909242 80-Hliníkové chladiče a chladicí žebra pro udržení provozní teploty tranzistorů a integrovaných obvodů, pro použití při výrobě produktů čísel 8527 nebo 8528

8529 90 20 až 8529 90 97-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. číselníky;
2. ladicí bloky;
3. clony pro televizní kamery;
4. tak zvané adaptéry PAL-SECAM. Jde o dekodérové desky (desky s tištěnými obvody osazené elektrickými komponenty) pro následné zabudování do televizních přijímačů určených pro příjem signálů PAL, aby tyto přijímače mohly být použity pro dvojí příjem signálů PAL/SECAM.
Do těchto podpoložek nepatří vlnovody (zařazené jako trubice podle materiálu, ze kterého jsou vyrobeny).

8529 90 92-Pro televizní kamery podpoložek 8525 80 11 a 8525 80 19 a přístroje čísel 8527 a 8528

Tato podpoložka obsahuje takzvané „LCD moduly“ sestávající z tranzistorů v tenké vrstvě (TFT) kapalných krystalů vložené mezi dvě skleněné nebo plastové tabule, které nejsou kombinovány s možnostmi dotykové obrazovky, používané při výrobě monitorů a/nebo televizních přijímacích přístrojů čísla 8528.
Tyto moduly jsou vybaveny jedním nebo více tištěnými nebo integrovanými obvody s řídicí elektronikou pouze na adresování pixelů. Nejsou vybaveny elektronikou pro zpracovávání videa (jako např. videokonvertorem nebo konvertorem kmitočtu).
Moduly mohou být vybaveny jednotkou podsvícení a/nebo invertory.
Tato podpoložka neobsahuje zařízení s kapalnými krystaly sestávající z vrstvy tekutých krystalů vložené mezi dvě skleněné nebo plastové tabule, opatřené nebo neopatřené elektrickými přípojkami (např. pro dodávku elektrické energie), vcelku nebo nařezané do určitých tvarů (podpoložka 9013 80 20).

–

8529 90 92 42

8522904950 80-Elektronická zařízení pro zamontování do laserových snímacích hlav přehrávačů kompaktních disků, zahrnující: – tištěné obvody, – foto-detektor, ve formě monolitického integrovaného obvodu obsaženého v pouzdře, – ne více než 3 konektory, – ne více než 1 tranzistor, – ne více než 3 variabilní a 4 fixní rezistory, – ne více než 5 kondenzátorů, vše namontované na podložce

8522 90 41 a 8522 90 49-Elektronické sestavy

Viz vysvětlivky k podpoložce 8443 99 10.

–

8522 90 49 50

8504409040 80-Polovodičové výkonové moduly sestávající z: – výkonových tranzistorů, – integrovaných obvodů, – též obsahující diody a též obsahující termistory, – mající provozní napětí nejvýše 600V, – obsahující nejvýše tří elektrické výstupy, z nichž každý obsahuje dva výkonové spínače (buď MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor – tranzistory řízené elektrickým polem z polovodičů na bázi oxidů kovů) nebo IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors – bipolární tranzistory s izolovanou elektrodou G)) a vnitřní ovladače, – s efektivní hodnotou (RMS) jmenovitého proudu nejvýše 15,7A

–

8504 40 90 40

8504409060 80-Přetlačovaný polovodičový výkonový modul, který tvoří: – výkonové tranzistory, – integrované obvody, – též obsahující diody a též obsahující termistory, – konfiguraci obvodu, – obsahující buď platformu s přímým ovládáním s provozním napětím vyšším než 600 V, – nebo obsahující platformu s přímým ovládáním s provozním napětím nepřesahujícím 600 V a RMS proudem vyšším než 15,7 A, – nebo obsahující jeden nebo více modulů pro korekci výkonového keoficientu

–

8504 40 90 60

8542326100 10-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E$2PROM), včetně Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 20-Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 80-S kapacitou paměti nepřesahující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61